Доклад: Анализ изменений состава и морфологии поверхности вольфрама при
воздействии плазмы тлеющего разряда и плазменного фокуса в среде дейтерия
методами ВИМС (SIMS), ИСП (ICP) и ЭДА (EDS)
Докладчик: Ирина Борисовна Савватимова, НИЯУ МИФИ

Приведены результаты экспериментов воздействия потоков дейтериевой плазмы на
установке плазменного фокуса (ПФ) ПФМ72-м на вольфрам и плазмы тлеющего разряда в
среде дейтерия. Проведено сравнение результатов, полученных методами ВИМС (SIMS),
ИСП (ICP) и ЭДА (EDS).
При анализе обнаружено увеличение концентрации легких элементов с массой менее
массы матричного материала образца W (Li, Na, K, Ca, Mg) в экранированной и
периферийной областях образцов монокристаллического и поликристаллического
вольфрама от 5 до 100 крат для различных элементов по сравнению с центральной
областью, подвергнутой воздействию плазменного фокуса.
Причём, в периферийной и экранированной областях анализируемых образцов,
удалённых от оси плазменного фокуса, регистрируются до миллионов импульсов (ионов)
по сравнению с тысячами в центральной области ПФ.
То есть, более существенное увеличение концентрации более «лёгких» изотопов
наблюдается в областях, удалённых от оси установки, где их распыление и «выброс»
ударной плазменной волной меньше или не происходит совсем, и где энергия частиц
составляет от единиц до десятков электронвольт и могут происходить различные ядерно-
химические реакции.